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技术文章:差异硅源于差异化衬底_激光网_激光新

来源:未知 编辑:admin 时间:2018-12-29

  人们普遍认为,无论技术成本如何,像摩尔定律这样的“前沿”技术,为半导体行业厂商和投资者带来的投资回报越来越少。 在这种情况下,除了传统的CMOS缩放工艺之外,半导体行业还需要有更多的创新。 从

  RF-SOI和FD-SOI是业界如何通过衬底推动差异化发展以开发RF通信和低功耗计算新标准的很好的例子。 格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)一直是这一开发领域的成功先驱。 首先,RF-SOI已成为蜂窝电话中前端模块(FEM)大量组件的实际应用技术。 在10年前,RF-SOI在市场上几乎没有。然而, 今天RF-SOI市场产量约为150万晶片(相当于8英寸)。 其次,FD-SOI已经成为mmWave RF-CMOS连接和高能效电池供电设备的首选技术。下面,我们将回顾一下Soitec如何通过出色的RF-SOI衬底解决方案支持格罗方德。

  5G将迅速改变世界各地人与物的交流方式。格罗方德 和Soitec为这个变革提供创新技术,支持社会技术变革向5G演进,并使这种变革与其他现有和未来标准的共存。

  不同的通信设备如汽车、智能手机和其他设备,它们的RF前端需要差异化的技术。这些技术可以提供合适的成本和性能权衡,从而促进其引入和采用。 Soitec提供两类RF-SOI衬底,一类是HR-SOI,该技术采用高电阻率基础衬底;另一类是RF增强信号完整性TM(RFeSI)SOI,它在高电阻率基础上增加了富陷阱层,有助于满足严格的线性要求。这两类技术都与标准CMOS工艺和代工厂兼容。

  这两种衬底系列有直径200mm和300 mm,在线性度,插入损耗,隔离,噪声系数和其他关键规格方面具有不同的优势,因此,它们可用于设计和制造RF前端的不同模块和功能。由于集成策略在不同的RF前端解决方案提供商之间存在很大差异,在此本文列出一些参考示例供大家参考

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  美国华盛顿州温哥华市,2018年10月3日——作为全球工业...[详细]

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